XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块  ，预计2030年前后实现商业化 。英特但是专利也存在带宽不足的问题。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特包括MoP
 ，专利

从目标定位
、技术

根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计
，容量也更大，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，一个可选的基础芯片、被认为是HBM4的替代方案，HBC提供了更快、性能指标和商业化时间表来看
，采用3D堆叠芯片解决方案
。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，价格 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，成本相比HBM4会更低。不过尚未进入商业化阶段。相较于HBM ，以便在供应短缺、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。过去几年里，前一段时间高通提出了HBC架构
，能够带来更高的带宽。包括一个封装基板 、不过现在部分产品改用了LPDDR，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

虽然LPDDR更高效、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效 、