XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，采用3D堆叠芯片解决方案。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。包括一个封装基板
、以及一个堆叠的存储芯片
。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

虽然LPDDR更高效、过去几年里，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，能够带来更高的带宽  。预计2030年前后实现商业化。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 
。

根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计，以便在供应短缺 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，封装尺寸与HBM 4保持一致 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，

从目标定位、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，前一段时间高通提出了HBC架构 ， 详情